Ražotāja daļas numurs : | GL4100 | RoHs statuss : | Satur svina / RoHS neatbilstību |
---|---|---|---|
Ražotājs / zīmols : | Sharp Microelectronics | Krājumu stāvoklis : | 5740 pcs Stock |
Apraksts : | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL | Nosūtīt no : | Honkonga |
Datu lapas : | GL4100.pdf | Sūtīšanas ceļš : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Daļa Nr | GL4100 |
---|---|
Ražotājs | Sharp Microelectronics |
Apraksts | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss | Satur svina / RoHS neatbilstību |
Pieejamais daudzums | 5740 pcs |
Datu lapas | GL4100.pdf |
Viļņa garums | 950nm |
Spriegums - uz priekšu (Vf) (tips) | 1.2V |
Skata leņķis | 180° |
Tips | Infrared (IR) |
Sērija | - |
Radiācijas intensitāte (Ie) Min @ Ja | - |
Iepakojums | - |
Iepakojums / lieta | Radial |
Citi vārdi | 425-1024-5 |
Orientācija | Side View |
Darbības temperatūra | -25°C ~ 85°C (TA) |
Montāžas tips | Through Hole |
Mitruma jutīguma līmenis (MSL) | 1 (Unlimited) |
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss | Contains lead / RoHS non-compliant |
Detalizēts apraksts | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial |
Strāva - DC priekšu (ja) (maksimālais) | 50mA |
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB